Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen (MZ-V9P1T0BW)
Код товара: 803563
Бренд: SAMSUNG
Гарантия: 12 мес.
Гарантийные условия
Обязательства по гарантийному обслуживанию несут авторизованные сервисные центры ТЕХЛАНД. Гарантийный срок исчисляется с даты накладной/УПД между ТЕХЛАНД и партнером. Гарантия осуществляется по серийным номерам.
Диски, приобретенные до февраля 2022 года, обслуживаются в авторизованных СЦ Samsung.
Краткие характеристики
-
Тип
SSD -
Форм-фактор
M.2 2280 -
Тип оперативной памяти
V-NAND 3-bit MLC -
Объем накопителя, Гб
1024 ГБ -
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 -
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с
6900/7450 -
MTBF
1500000 ч
Вы можете забрать приобретенный товар с нашего склада.
Доставка товаров по Москве осуществляется в течение 1-2 рабочих дней после оплаты счета, если выбранная продукция есть на складе.
Нашими партнерами являются ведущие транспортные компании: СДЭК, ПЭК, «Деловые линии», «Курьер сервис экспресс», Major Express.
-
Тип
SSD -
Форм-фактор
M.2 2280 -
Бренд
SAMSUNG -
Модель
MZ-V9P1T0BW -
Артикул Производителя
MZ-V9P1T0BW -
Серия
990 Pro -
Базовая модель
MZ-V9P1T0BW -
Тип памяти NAND
3D TLC -
Назначение
для ПК/ноутбука -
Ключ M.2 разъема
M -
Тип оперативной памяти
V-NAND 3-bit MLC -
Объем накопителя, Гб
1024 ГБ -
Тип жесткого диска
SSD -
Поддержка NVMe
Да -
Поддержка NVMe
Да -
Потребляемая мощность
5.4 Вт -
Потребляемая мощность
5.4 Вт -
Форм-фактор
M.2 2280 -
Ширина товара
22 мм -
Длина товара
80 мм -
Толщина товара
2.3 мм -
Для ПК/ноутбука
Да -
Для геймеров
Да -
Гейминг
Да -
Вес упаковки (ед)
0.122 кг -
Длина упаковки (ед)
0.145 м -
Ширина упаковки (ед)
0.099 м -
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.145x0.099x0.021 м -
Высота упаковки (ед)
0.02 м -
Объем упаковки (ед)
0.000301455 м3 -
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 -
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с
6900/7450 -
MTBF
1500000 ч -
Ресурс TBW (TB)
600 -
Комментарий
Размеры: 80x22x2.3 мм, Вес: 9 г -
Максимальная скорость чтения
7450 МБ/с -
Максимальная скорость записи
6900 МБ/с -
Время наработки на отказ
1500000 ч -
Ресурс TBW
600 ТБ -
Мощность в режиме ожидания
0.05 Вт -
Толщина
2.3 мм -
Ударостойкость при работе
1500 G -
Ударостойкость при хранении
1500 G -
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
1200000 -
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
1550000 -
Разъем
M.2 -
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
1550000 -
Объем накопителя ТБ
1024 ГБ -
DRAM буфер
Да -
Объем DRAM буфера
1024 МБ -
Поддержка TRIM
Да -
Вес устройства
9 грамм -
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
1200000 -
Интерфейс твердотельного накопителя
PCI-E -
Форм-фактор твердотельного накопителя
M.2 -
Тип памяти
V-NAND 3-bit MLC -
Размер твердотельного накопителя
1024 ГБ -
Совместимость с PS5
Да
Основные характеристики
Особенности
Оперативная память
Устройства хранения данных
Дисковые контроллеры
Питание
Энергопотребление
Корпус
Назначение
Дополнительно
Упаковка
Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru