твердотельные диски SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen (MZ-V9E1T0BW)

Name: твердотельные диски SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) 1Tb Samsung 990 EVO (R5000/W4200MB/s) 1year
Brand: SAMSUNG
SKU: MZ-V9E1T0BW
Price: 11900 RUB
Availability: InStock

Ссылка скопирована!

Код товара: 803592

твердотельные диски SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) 1Tb Samsung 990 EVO (R5000/W4200MB/s) 1year

Артикул: MZ-V9E1T0BW

Бренд: SAMSUNG

Гарантия: 12 мес.

Обязательства по гарантийному обслуживанию несут авторизованные сервисные центры ТЕХЛАНД. Гарантийный срок исчисляется с даты накладной/УПД между ТЕХЛАНД и партнером. Гарантия осуществляется по серийным номерам.

Диски, приобретенные до февраля 2022 года, обслуживаются в авторизованных СЦ Samsung.

Краткие характеристики

Тип

SSD
Исполнение

Внутреннее
Форм-фактор

M.2 2280
Тип оперативной памяти

TLC
Объем накопителя

1 ТБ
Интерфейс

PCIe 4.0 x4
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

4200/5000

Посмотреть все характеристики

11 900 ₽

● В наличии

В избранное

Сравнение

Самовывоз

Доставка по Москве и МО

Доставка в регионы России

Подробнее о доставке

Характеристики

Основные характеристики

Исполнение

Внутреннее

Форм-фактор

M.2 2280

Объем накопителя

1 ТБ

Бренд

SAMSUNG

Тип жесткого диска

SSD

Максимальная скорость чтения

5000 МБ/с

Максимальная скорость записи

4200 МБ/с

Время наработки на отказ

1500000 ч

Поддержка NVMe

Да

Тип памяти NAND

Ресурс TBW

600 ТБ

Потребляемая мощность

4.9 Вт

Мощность в режиме ожидания

0.06 Вт

Толщина товара

2.38 мм

Назначение

для ПК/ноутбука

Тип памяти

TLC

Модель

Тип

SSD

Модель

990 EVO

Артикул Производителя

MZ-V9E1T0BW

Корпус

Цвет

Черный

Ширина товара

22 мм

Длина товара

80 мм

Память

Тип оперативной памяти

TLC

Назначение

Для ПК/ноутбука

Да

Разъемы и интерфейсы

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Разъем

M.2 2280

Упаковка

Длина упаковки (ед)

0.145 м

Ширина упаковки (ед)

0.1 м

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.145x0.1x0.024 м

Высота упаковки (ед)

0.024 м

Вес упаковки (ед)

0.13 кг

Объем упаковки (ед)

0.000348 м3

Дополнительно

Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

4200/5000

MTBF

1500000

Ресурс TBW (TB)

600

Объем накопителя ТБ

1 ТБ

Поддержка TRIM

Да

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

680000

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

800000

Вес устройства

9 грамм

Ключ M.2 разъема

Ударостойкость при работе

1500 G

Ударостойкость при хранении

1500 G

Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E

Структура памяти NAND

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru