Код товара: 755054

Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) 2Tb Samsung 990 PRO (R7450/W6900MB/s) 1year

Артикул: MZ-V9P2T0BW

Бренд: SAMSUNG

Гарантия : 12 мес.

Вы можете обратиться к нашим менеджерам за информацией по электронной почте info@tekhland.ru. или по телефону 8(495)663-8800

Коротко о товаре

Тип

SSD
Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC
Объем накопителя, Гб

2048 ГБ
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

6900/7450
MTBF

1500000 ч

Посмотреть все характеристики

26 200 ₽

Указанные цены на сайте не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ, cт. 437 ГК РФ)

В избранное

Доставка

Самовывоз

Вы можете забрать приобретенный товар с нашего склада.

Доставка нашими силами

Доставка товаров по Москве осуществляется в течение 1-2 рабочих дней после оплаты счета, если выбранная продукция есть на складе.

Доставка транспортной компанией

Нашими партнерами являются ведущие транспортные компании: СДЭК, ПЭК, «Деловые линии», «Курьер сервис экспресс», Major Express.

Подробнее...

Характеристики

Основные характеристики

Тип

SSD

Бренд

SAMSUNG

Серия

990 Pro

Форм-фактор

M.2 2280

Модель

MZ-V9P2T0BW

Артикул Производителя

MZ-V9P2T0BW

Оперативная память

Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC

Устройства хранения данных

Объем накопителя, Гб

2048 ГБ

Тип жесткого диска

SSD

Объем накопителя, Гб

2048 ГБ

Питание

Потребляемая мощность

8.5 Вт

Корпус

Цвет

Черный

Форм-фактор

M.2 2280

Ширина товара

22 мм

Длина товара

80 мм

Дополнительно

Гейминг

Да

Ссылка на сайт поставщика/вендора

https://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-2tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p2t0bw/

Упаковка

Вес упаковки (ед)

0.122 кг

Длина упаковки (ед)

0.1 м

Ширина упаковки (ед)

0.02 м

Высота упаковки (ед)

0.145 м

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.1x0.02x0.145 м

Объем упаковки (ед)

0.00029 м3

Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

6900/7450
MTBF

1500000 ч
Ресурс TBW (TB)

1200
Интерфейс

PCIe 4.0 x4
Максимальная скорость чтения

7450 МБ/с
Максимальная скорость записи

6900 МБ/с
Время наработки на отказ

1500000 ч
Поддержка NVMe

Да
Ресурс TBW

1200 ТБ
Мощность в режиме ожидания

0.055 Вт
Толщина

2.3 мм
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1400000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1550000
Тип памяти NAND

3D TLC
Разъем

M.2
Ударостойкость при хранении

1500 G
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1550000
Объем накопителя ТБ

2048 ГБ
Поддержка TRIM

Да
DRAM буфер

Да
Объем DRAM буфера

2048 МБ
Вес устройства

9 грамм
Для ПК/ноутбука

Да
Ударостойкость при работе

1500 G
Размер твердотельного накопителя

2048 ГБ
Тип памяти

V-NAND 3-bit MLC

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru