Код товара: 755053

Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 4.0 x4) 1Tb Samsung 990 PRO (R7450/W6900MB/s) 1year

Артикул: MZ-V9P1T0BW

Бренд: SAMSUNG

Гарантия : 12 мес.

Вы можете обратиться к нашим менеджерам за информацией по электронной почте info@tekhland.ru. или по телефону 8(495)663-8800

Коротко о товаре

Тип

SSD
Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC
Объем накопителя, Гб

1024 ГБ
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

6900/7450
MTBF

1500000 ч

Посмотреть все характеристики

17 800 ₽

Указанные цены на сайте не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ, cт. 437 ГК РФ)

В избранное

Доставка

Самовывоз

Вы можете забрать приобретенный товар с нашего склада.

Доставка нашими силами

Доставка товаров по Москве осуществляется в течение 1-2 рабочих дней после оплаты счета, если выбранная продукция есть на складе.

Доставка транспортной компанией

Нашими партнерами являются ведущие транспортные компании: СДЭК, ПЭК, «Деловые линии», «Курьер сервис экспресс», Major Express.

Подробнее...

Характеристики

Основные характеристики

Тип

SSD

Бренд

SAMSUNG

Форм-фактор

M.2 2280

Модель

MZ-V9P1T0BW

Артикул Производителя

MZ-V9P1T0BW

Серия

990 Pro

Базовая модель

MZ-V9P1T0BW

Оперативная память

Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC

Устройства хранения данных

Объем накопителя, Гб

1024 ГБ

Тип жесткого диска

SSD

Объем накопителя, Гб

1024 ГБ

Питание

Потребляемая мощность

5.4 Вт

Корпус

Форм-фактор

M.2 2280

Ширина товара

22 мм

Длина товара

80 мм

Дополнительно

Гейминг

Да

Ссылка на сайт поставщика/вендора

https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/

Упаковка

Вес упаковки (ед)

0.122 кг

Длина упаковки (ед)

0.145 м

Ширина упаковки (ед)

0.099 м

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.145x0.099x0.021 м

Высота упаковки (ед)

0.021 м

Объем упаковки (ед)

0.000301455 м3

Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

6900/7450
MTBF

1500000 ч
Ресурс TBW (TB)

600
Комментарий

Размеры: 80x22x2.3 мм, Вес: 9 г
Интерфейс

PCIe 4.0 x4
Максимальная скорость чтения

7450 МБ/с
Максимальная скорость записи

6900 МБ/с
Время наработки на отказ

1500000 ч
Поддержка NVMe

Да
Ресурс TBW

600 ТБ
Мощность в режиме ожидания

0.05 Вт
Толщина

2.3 мм
Ударостойкость при работе

1500 G
Ударостойкость при хранении

1500 G
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1200000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1550000
Тип памяти NAND

3D TLC
Разъем

M.2
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1550000
Объем накопителя ТБ

1024 ГБ
DRAM буфер

Да
Объем DRAM буфера

1024 МБ
Для ПК/ноутбука

Да
Поддержка TRIM

Да
Вес устройства

9 грамм
Размер твердотельного накопителя

1024 ГБ
Тип памяти

V-NAND 3-bit MLC

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru