Код товара: 754916

Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe) 1Tb (1024GB) Samsung 980 (R3500/W3000MB/s) (MZ-V8V1T0BW) 1year

Артикул: MZ-V8V1T0BW

Бренд: SAMSUNG

Гарантия : 12 мес.

Вы можете обратиться к нашим менеджерам за информацией по электронной почте info@tekhland.ru. или по телефону 8(495)663-8800

Коротко о товаре

Тип

SSD
Исполнение

Внутреннее
Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC
Объем накопителя, Гб

1024 ГБ
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

3000/3500

Посмотреть все характеристики

12 400 ₽

Указанные цены на сайте не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ, cт. 437 ГК РФ)

В избранное

Доставка

Самовывоз

Вы можете забрать приобретенный товар с нашего склада.

Доставка нашими силами

Доставка товаров по Москве осуществляется в течение 1-2 рабочих дней после оплаты счета, если выбранная продукция есть на складе.

Доставка транспортной компанией

Нашими партнерами являются ведущие транспортные компании: СДЭК, ПЭК, «Деловые линии», «Курьер сервис экспресс», Major Express.

Подробнее...

Характеристики

Основные характеристики

Тип

SSD

Бренд

SAMSUNG

Серия

980

Форм-фактор

M.2 2280

Модель

MZ-V8V1T0BW

Артикул Производителя

MZ-V8V1T0BW

Оперативная память

Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC

Устройства хранения данных

Объем накопителя, Гб

1024 ГБ

Тип жесткого диска

SSD

Объем накопителя, Гб

1024 ГБ

Объем накопителя, Гб

1024 ГБ

Питание

Потребляемая мощность

5.3 Вт

Корпус

Исполнение

Внутреннее

Цвет

Черный

Форм-фактор

M.2 2280

Ширина товара

22.15 мм

Длина товара

80.15 мм

Упаковка

Длина упаковки (ед)

0.145 м

Ширина упаковки (ед)

0.099 м

Высота упаковки (ед)

0.021 м

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.145x0.099x0.021 м

Объем упаковки (ед)

0.000301455 м3

Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

3000/3500
MTBF

1500000 часов
Ресурс TBW (TB)

600
Интерфейс

PCIe 3.0 x4
Категория Применения

1TB
Максимальная скорость чтения

3500 МБ/с
Максимальная скорость записи

3000 МБ/с
Время наработки на отказ

1500000 ч
Контроллер NAND

Samsung Pablo Controller
Тип памяти NAND

3D TLC
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

500000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

480000
Поддержка NVMe

Да
Ресурс TBW

600 ТБ
Мощность в режиме ожидания

0.045 Вт
Разъем

M.2
Ударостойкость при хранении

1500 G
Толщина

2.38 мм
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

480000
Объем накопителя ТБ

1024 ГБ
Поддержка TRIM

Да
Вес устройства

8 грамм
Ключ M.2 разъема

M
Для ПК/ноутбука

Да
Ударостойкость при работе

1500 G
Размер твердотельного накопителя

1024 ГБ
Тип памяти

V-NAND 3-bit MLC

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru