Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen (MZ-V9E2T0BW)
Код товара: 803602
Бренд: SAMSUNG
Гарантия: 12 мес.
Гарантийные условия
Обязательства по гарантийному обслуживанию несут авторизованные сервисные центры ТЕХЛАНД. Гарантийный срок исчисляется с даты накладной/УПД между ТЕХЛАНД и партнером. Гарантия осуществляется по серийным номерам.
Диски, приобретенные до февраля 2022 года, обслуживаются в авторизованных СЦ Samsung.
Краткие характеристики
-
Тип
SSD -
Исполнение
Внутреннее -
Форм-фактор
M.2 2280 -
Тип оперативной памяти
NAND TLC -
Объем накопителя, Гб
2048 ГБ -
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 -
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с
4200/5000
Вы можете забрать приобретенный товар с нашего склада.
Доставка товаров по Москве осуществляется в течение 1-2 рабочих дней после оплаты счета, если выбранная продукция есть на складе.
Нашими партнерами являются ведущие транспортные компании: СДЭК, ПЭК, «Деловые линии», «Курьер сервис экспресс», Major Express.
-
Тип
SSD -
Форм-фактор
M.2 2280 -
Бренд
SAMSUNG -
Артикул Производителя
MZ-V9E2T0BW -
Модель
990 EVO -
Тип памяти NAND
3D -
Назначение
для ПК/ноутбука -
Ключ M.2 разъема
M -
Особенности
Samsung V-NAND TLC -
Тип оперативной памяти
NAND TLC -
Объем накопителя, Гб
2048 ГБ -
Тип жесткого диска
SSD -
Поддержка NVMe
Да -
Поддержка NVMe
Да -
Потребляемая мощность
5.5 Вт -
Потребляемая мощность
5.5 Вт -
Исполнение
Внутреннее -
Форм-фактор
M.2 2280 -
Цвет
Черный -
Толщина товара
2.38 мм -
Ширина товара
22 мм -
Длина товара
80 мм -
Для ПК/ноутбука
Да -
Особенности
Samsung V-NAND TLC -
Длина упаковки (ед)
0.14 м -
Ширина упаковки (ед)
0.1 м -
Высота упаковки (ед)
0.02 м -
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.14x0.1x0.02 м -
Вес упаковки (ед)
0.13 кг -
Объем упаковки (ед)
0.00028 м3 -
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 -
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с
4200/5000 -
MTBF
1500000 ч -
Интерфейс твердотельного накопителя
PCI-E -
Форм-фактор твердотельного накопителя
M.2 -
Максимальная скорость чтения
5000 МБ/с -
Максимальная скорость записи
4200 МБ/с -
Время наработки на отказ
1500000 ч -
Поддержка TRIM
Да -
Разъем
M.2 -
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
7000000 -
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
800000 -
Ресурс TBW
1200 ТБ -
Мощность в режиме ожидания
0.06 Вт -
Вес устройства
9 грамм -
Ударостойкость при хранении
1500 G -
Тип памяти
NAND TLC -
Размер твердотельного накопителя
2048 ГБ
Основные характеристики
Особенности
Оперативная память
Устройства хранения данных
Дисковые контроллеры
Питание
Энергопотребление
Корпус
Назначение
Дополнительно
Упаковка
Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru
Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru