Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe) 1Tb (1024GB) (MZ-V8V1T0BW)

Name: Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe) 1Tb (1024GB) Samsung 980 (R3500/W3000MB/s) (MZ-V8V1T0BW) 1year
Brand: SAMSUNG
SKU: MZ-V8V1T0BW
Price: 10600 RUB
Availability: OutOfStock

Ссылка скопирована!

Код товара: 803492

Твердотельный накопитель SSD M.2 (PCI-E NVMe) 1Tb (1024GB) Samsung 980 (R3500/W3000MB/s) (MZ-V8V1T0BW) 1year

Артикул: MZ-V8V1T0BW

Бренд: SAMSUNG

Гарантия: 12 мес.

Обязательства по гарантийному обслуживанию несут авторизованные сервисные центры ТЕХЛАНД. Гарантийный срок исчисляется с даты накладной/УПД между ТЕХЛАНД и партнером. Гарантия осуществляется по серийным номерам.

Диски, приобретенные до февраля 2022 года, обслуживаются в авторизованных СЦ Samsung.

Краткие характеристики

Тип

SSD
Исполнение

Внутреннее
Форм-фактор

M.2 2280
Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC
Объем накопителя, Гб

1 ТБ
Интерфейс

PCIe 3.0 x4
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

3000/3500

Посмотреть все характеристики

10 600 ₽

Нет в наличии

В избранное

Сравнение

Самовывоз

Доставка по Москве и МО

Доставка в регионы России

Подробнее о доставке

Характеристики

Основные характеристики

Тип

SSD

Форм-фактор

M.2 2280

Бренд

SAMSUNG

Серия

980

Модель

MZ-V8V1T0BW

Артикул Производителя

MZ-V8V1T0BW

Тип памяти NAND

3D TLC

Назначение

для ПК/ноутбука

Особенности

Ключ M.2 разъема

Оперативная память

Тип оперативной памяти

V-NAND 3-bit MLC

Устройства хранения данных

Объем накопителя, Гб

1 ТБ

Тип жесткого диска

SSD

Поддержка NVMe

Да

Дисковые контроллеры

Поддержка NVMe

Да

Питание

Потребляемая мощность

5.3 Вт

Энергопотребление

Потребляемая мощность

5.3 Вт

Корпус

Исполнение

Внутреннее

Форм-фактор

M.2 2280

Цвет

Черный

Ширина товара

22.15 мм

Длина товара

80.15 мм

Толщина товара

2.38 мм

Назначение

Для ПК/ноутбука

Да

Упаковка

Длина упаковки (ед)

0.145 м

Ширина упаковки (ед)

0.099 м

Высота упаковки (ед)

0.021 м

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.145x0.099x0.021 м

Объем упаковки (ед)

0.000301455 м3

Вес упаковки (ед)

0.122 кг

Интерфейс

PCIe 3.0 x4
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с

3000/3500
MTBF

1500000 часов
Ресурс TBW (TB)

600
Категория Применения

1TB
Максимальная скорость чтения

3500 МБ/с
Максимальная скорость записи

3000 МБ/с
Время наработки на отказ

1500000 ч
Контроллер NAND

Samsung Pablo Controller
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

500000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

480000
Ресурс TBW

600 ТБ
Мощность в режиме ожидания

0.045 Вт
Разъем

M.2
Ударостойкость при хранении

1500 G
Толщина

2.38 мм
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

480000
Объем накопителя ТБ

1024 ГБ
Поддержка TRIM

Да
Вес устройства

8 грамм
Ударостойкость при работе

1500 G
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

500000
Интерфейс твердотельного накопителя

PCI-E
Форм-фактор твердотельного накопителя

M.2
Размер твердотельного накопителя

1024 ГБ
Тип памяти

V-NAND 3-bit MLC

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru