Оперативная память Samsung DDR4 8GB DIMM 3200MHz (M378A1K43EB2-CWE) (M378A1K43EB2-CWE)

Код товара: 706497

Оперативная память Samsung DDR4 8GB DIMM 3200MHz (M378A1K43EB2-CWE) 1 year, OEM

Артикул: M378A1K43EB2-CWE

Бренд: SAMSUNG

Гарантия : 12 мес.

Обязательства по гарантийному обслуживанию несут авторизованные сервисные центры ТЕХЛАНД. Гарантийный период исчисляется с момента отгрузки товара со склада ТЕХЛАНД. Гарантия осуществляется по серийным номерам.

Коротко о товаре

Тип оперативной памяти

DDR4
Частота функционирования, МГц

3200 МГц
Объем

8 Мб
Количество контактов

288
Форм-фактор оперативной памяти

UDIMM
Напряжение

1.2 В
Латентность (CL)

21

Посмотреть все характеристики

2 500 ₽

Указанные цены на сайте не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ, cт. 437 ГК РФ)

В избранное

Доставка

Самовывоз

Вы можете забрать приобретенный товар с нашего склада.

Доставка нашими силами

Доставка товаров по Москве осуществляется в течение 1-2 рабочих дней после оплаты счета, если выбранная продукция есть на складе.

Доставка транспортной компанией

Нашими партнерами являются ведущие транспортные компании: СДЭК, ПЭК, «Деловые линии», «Курьер сервис экспресс», Major Express.

Подробнее...

Характеристики

Основные характеристики

Бренд

SAMSUNG

Тип поставки

OEM

Форм-фактор

DIMM

Артикул Производителя

M378A1K43EB2-CWE

Модель

M378A1K43EB2-CWE

Тип

Оперативная память

Тип оперативной памяти

DDR4

Тип оперативной памяти

DDR4

Питание

Напряжение

1.2 В

Корпус

Форм-фактор

DIMM

Упаковка

Длина упаковки (ед)

0.14 м

Ширина упаковки (ед)

0.05 м

Высота упаковки (ед)

0.01 м

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.14x0.05x0.01 м

Объем упаковки (ед)

0.00007 м3

Частота функционирования, МГц

3200 МГц
Объем

8 Мб
Количество контактов

288
Форм-фактор оперативной памяти

UDIMM
Латентность (CL)

21
Количество модулей в комплекте

1
Поддержка ECC

н/д
Наличие буфера на модуле памяти (Registered)

н/д
Буферизация

unbuffered
Напряжение (тест)

1.2В
Латентность

CL21
Скорость (тест)

3200МГц
Показатель скорости

PC4-25600
Количество в упаковке

1
Частотная спецификация

3200
Количество рангов (Ranks)

single rank
Объем одного модуля

8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта

8 ГБ
Пропускная способность

25600 МБ/с
Тип памяти

DDR4

Для получения более подробной информации по продукции SAMSUNG пожалуйста, обращайтесь к нашим менеджерам по тел. +7 (495) 663-88-00 или по e-mail info@tekhland.ru

Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Неточности в описании не являются основанием для возврата и понижения цены. Уточняйте спецификацию и наличие на складе у менеджеров нашей компании info@tekhland.ru